- Сегнетоэлектрик
-
Сегнетоэле́ктрики (названы по первому материалу, в котором был открыт сегнетоэлектрический эффект — сегнетова соль) — твёрдые диэлектрики (некоторые ионные кристаллы и пьезоэлектрики), обладающие в определённом интервале температур собственным электрическим дипольным моментом, который может быть переориентирован за счёт приложения внешнего электрического поля. Сегнетоэлектрические материалы обладают гистерезисом по отношению к электрическому дипольному моменту.
В англоязычной литературе для обозначения явления применяется термин ферроэлектрики (образовано по аналогии с ферромагнетиками).
Типичный представитель сегнетоэлектриков — сегнетова соль, двойная соль винной кислоты KNaC4H4O6·4Н2О; именно её название лежит в основе термина «сегнетоэлектрик». К сегнетоэлектрикам с более простой структурой относят целый ряд кристаллов со структурой перовскита, например, титанат бария BaTiO3, титанат свинца PbTiO3, а также их твердые растворы (цирконат-титанат свинца), ниобат лития LiNbO3.
Содержание
Поляризация
Температура, при которой исчезает спонтанная поляризация (то есть собственный дипольный момент) и происходит перестройка кристаллической структуры, носит название температуры (точки) Кюри (ещё одна аналогия с ферромагнетиками). Переход через точку Кюри означает фазовый переход, а соответствующие фазы обозначаются как полярная (сегнетоэлектрик) и неполярная (параэлектрик[1] — нелинейный диэлектрик, не обладающий спонтанной поляризацией, относительная диэлектрическая проницаемость которого уменьшается с ростом температуры).
Спонтанная поляризация в сегнетоэлектриках в точке Кюри меняется либо непрерывно (переход второго рода, сегнетова соль), либо скачком (переход первого рода, титанат бария). Другие характеристики сегнетоэлектриков, такие как относительная диэлектрическая проницаемость, могут достигать в точке Кюри очень больших значений (104 и выше).
Вблизи точки Кюри в неполярной фазе выполняется закон Кюри — Вейсса, связывающий поляризуемость α и температуру T сегнетоэлектрика[2]:
где C и T0 — константы, определяемые видом сегнетоэлектрика. Величина T0 носит название температуры Кюри — Вейсса и очень близка к значению температуры Кюри. Если точек Кюри две, то вблизи каждой из них в неполярной фазе выполняется тот же закон. Вблизи верхней — в прежней форме, а вблизи нижней — в форме[2]:
Механизм приобретения дипольного момента в полярной фазе (фазе сегнетоэлектрика) может также различаться: возможен вариант как со смещением ионов (титанат бария; соответствующий фазовый переход называется переходом типа смещения), так и с упорядочиванием ориентации уже существующих в веществе диполей (дигидрофосфат калия, триглицинсульфат).
Другие физические свойства
Многие сегнетоэлектрики являются сегнетоэластиками[3] — веществами со спонтанной деформацией кристаллической решётки, возникающей в определенной области температур.
Отличительными чертами сегнетоэлектриков являются также высокие значения диэлектрической проницаемости, наличие пьезоэлектрического и пироэлектрического эффектов, зависимость показателя преломления от величины приложенного электрического поля. Эти свойства определяют область применения сегнетоэлектриков — в конденсаторах, пьезоэлектрических устройствах, электрооптических системах, нелинейной оптике, различных температурных датчиках.
См. также
- Сегнетоэлектричество
- Антисегнетоэлектрик
- Пьезокерамика
- Мультиферроики
Примечания
- ↑ ГОСТ 21515-76
- ↑ 1 2 Сивухин Д. В. Общий курс физики — М.: Наука, 1977. — Т. III. Электричество. — С. 166. — 688 с.
- ↑ Сегнетоэластики — новый класс кристаллических твердых тел — Гриднев С.А
Литература
- Сивухин Д. В. Общий курс физики — М.: Наука, 1977. — Т. III. Электричество. — С. 160—162. — 688 с.
- М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981.
- Б. А. Струков, А. П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука, 1995.
- Г. А. Смоленский «Новые сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики»
Ссылки
Категории:- Сегнетоэлектрики
- Диэлектрики
- Физика твёрдого тела
- Физические основы электроники
Wikimedia Foundation. 2010.