- PROM
-
Типы компьютерной памяти Энергозависимая - DRAM (в том числе DDR SDRAM)
- SRAM
- Перспективные
- T-RAM
- Z-RAM
- TTRAM
- Из истории
- Память на линиях задержки
- Запоминающая электронстатическая трубка
- Запоминающая ЭЛТ
Энергонезависимая - ПЗУ
- PROM
- EPROM
- EEPROM
- Флеш-память
- Первые разработки
- Перспективные
- Из истории
- Магнитный барабан
- Память на магнитных сердечниках
- Память на магнитной проволоке
- Пузырьковая память
- Память на твисторах
PROM (англ. Programmable Read-Only Memory) — класс полупроводниковых запоминающих устройств, постоянная память с пережигаемыми перемычками.
Память представляла собой двумерный массив проводников (строк и столбцов) на пересечении которых создавалась специальная перемычка из металла (например, нихрома или титаново-вольфрамового сплава) или аморфного кремния. Программирование заключалось в пропускании через соответствующую перемычку тока, который заставлял её разорваться — расплавиться и испариться. Восстановление расплавленных перемычек невозможно.Несмотря на кажущуюся надежность такого решения эта технология оказалась весьма капризной. Металлические перемычки при программировании образовывали капли и пары металла, которые оседали обратно на кристалл в самых неожиданных местах с соответствующими неприятными последствиями. Поликремниевые перемычки имели способность к самовосстановлению за счет миграции атомов. По этой причине микросхемы после программирования требовалось выдерживать длительное время при высокой температуре с целью выявления потенциальных дефектов этого типа.
В конечном итоге память на пережигаемых перемычках была вытеснена решениями на транзисторах с плавающим затвором (EPROM, EEPROM и флеш-памятью).
Недостатки PROM
- Малый объём хранимых данных.
- В PROM возможно изменение данных путем «довыжигания» тех перемычек, которые еще не были уничтожены. Для борьбы с такими изменениями могут применяться контрольные суммы.
Преимущества
- Записанные данные невозможно уничтожить электрическим способом, разрушение происходит лишь при физическом воздействии на носитель.
- Высокая скорость доступа к данным — 35 нс и менее.
Ссылки
- Progress of the PROM - the micro's mate // New Scientist, 5 july 1979
Категория:- Энергонезависимая память
Wikimedia Foundation. 2010.